在锗或硅晶体中撞人微量二价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围4个锗(或硅)原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是杂质能级，通常位于禁 带下方靠近价带处。价带中的电子很容易激发到杂质能级上填补这个空位，使杂质原子成为负离子。价带中由于缺少一个电子而形成一个空穴载沉子。这种能提供空穴的杂质称为受主杂质。存在受主杂 质时，在价带中形成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情形要小得多。半导体撞杂后其电阻率大大下降。加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数目10bo而导致电阻率减小．半导体热 敏电阻和光敏电阻就是根据此原理制成的。 

    对椿入施主杂质的半导体，导电载流子主要是导带中的电子，属电子纽导电，称为N型半导体。掺入受主杂质的半导体屑空穴型导电，称为P型半导体。半导体在任何温度下都能产生电子—空穴对，故N型 半导体中可存在少量导电空穴，P型半导体中可存在少量导电电子，它们均称为少数载流子。在半导体器件(包括太阳能光伏电池)的各种效应中，少数载流子常捞演重要角色。